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12月28日音讯,据韩媒The Elec 新闻媒体报导,存储芯片大厂SK海力士的M15X 晶圆厂将比原定时刻提早4个月投产。
报导征引音讯的人悄悄表明,SK 海力士方案2026年2月在M15X晶圆厂开端出产1b DRAM,这是用于其最新的高带宽内存(HBM4)的中心,比较其本来方案的2026年6月投入晶圆出产提早了4个月。该晶圆厂初期月产能估计约1万片,但预期到2026年末将扩增至5.5万至6万片。
在本年9月,SK海力士现已成完成了HBM4客户样品制造,并供应给英伟达来测验,现在正处于这个终究优化阶段、发展顺畅。英伟达将向SK海力士订货HBM4,以调配其最新的Rubin AI 加速器。
此前材料显现,SK海力士为兴修M15X晶圆厂投入超越20万亿韩元,该厂坐落M15邻近,并专心于出产1b DRAM,用作HBM3E/HBM4的中心芯片。音讯的人悄悄表明,M15X初期月产能为3.5万片晶圆,未来估计可扩展至5.5万至6万片。
SK海力士自去年末开端为该厂预订设备,部分韩国利川厂区的DRAM职工也被调往该晶圆厂,以帮忙装置设备并进行量产预备。M15X拥有比现有厂房更大的无尘室,由于HBM制程需要比传统DRAM更高的空间与设备容量。