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半导体洁净室地上体系需满意严厉的物理化学功能指标。依据SEMI标准及《电子工业洁净厂房规划标准》，地上体系应具有以下特性：平整度差错≤2mm/2m，耐磨转数≥2000转，抗住压力的强度≥80MPa，体系电阻操控在1×10^6~1×10^9Ω。一起需满意防静电、耐化学品腐蚀、抗热冲击等特殊要求。
混凝土底层强度等级不低于C30，厚度≥150mm。底层含水率需操控在4%以下，外表平整度误差≤3mm/2m。施工前需进行底层打磨处理，保证外表无油污、无空鼓，并涂刷专用界面剂增强粘结力。
选用0.05mm×50mm紫铜箔铺设接地网络，网格距离不大于6m×6m。铜箔交叉点选用焊接衔接，接地电阻值≤1Ω。接地端子需与修建接地主干线牢靠衔接，构成完好的静电泄放通道。
选用无溶剂型环氧树脂资料，体积电阻率操控在10^6~10^8Ω·cm。面层厚度≥2.0mm，施工时一次成型，保证无接缝、无气泡。资料需经过UL94-HB阻燃认证，耐酸碱功能到达72小时无改变。
适用于温差改变较大区域，弹性模量≥5000MPa。选用4mm厚自流平施工工艺，抗冲击功能≥15J，耐温规模-40℃~120℃。外表摩擦系数0.6~0.8，满意防滑要求。
高精度设备根底选用独立地基，与全体的结构设置20mm阻隔缝。地上承载力需依据设备要求专项规划，一般不低于10kN/m²。振荡敏感区域需设置减振沟，振幅操控在2μm以内。
管线穿地上处需设置不锈钢护套，并进行密封处理。选用弹性密封胶填充缝隙，保证气密性。大型管线周围设置加强钢筋，避免地上开裂。
施工环境和温度需操控在15℃~30℃，相对湿度45%~65%。底层温度应高于露点温度3℃以上，施工现场坚持正压，洁净度不低于ISO 8级。
严厉执行底层处理→导电层铺设→中涂施工→面层施工的工序。每道工序完成后需进行质量检验，要点查看平整度、电阻值和粘结强度。施工间隔时间需严厉按资料特性操控。
一切检测点合格率需到达95%以上，地上无开裂、起泡、脱层等缺点。防静电功能测验需在环境和温度23±2℃，相对湿度50±5%的标准条件下进行。
半导体洁净室地上日常保护需运用专用清洁剂，避开运用强酸强碱化学品。每月进行一次外表电阻检测，每季度查看接地体系衔接牢靠性。重型设备移动需铺设防护垫层，避免地上损害。树立保护档案，记载各项检测数据。
半导体洁净室经过严厉遵从规划标准、精选资料、标准施工和科学保护，可保证地上体系长时间安稳运转。主张树立全生命周期管理制度，守时进行体系评价，及时施行预防性保护，为半导体制作供给较为牢靠的根底环境保证。
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